Infineon Gate-Treiber MOSFET 360 mA 2 8-Pin DSO 600V 40 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6032
Herst. Teile-Nr.:: 2ED2304S06FXUMA1
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 360 mA 2 8-Pin DSO 600V 40 ns

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RS Best.-Nr.:: 226-6032
Herst. Teile-Nr.:: 2ED2304S06FXUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	360mA
	Pinanzahl	8
	Abfallzeit	40ns
	Gehäusegröße	DSO
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	48ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Anzahl der Treiber	2
	Maximale Versorgungsspannung	600V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	4mm
	Serie	2ED2304S06F
	Höhe	1.75mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 360mA
	Pinanzahl 8
	Abfallzeit 40ns
	Gehäusegröße DSO
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 48ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Anzahl der Treiber 2
	Maximale Versorgungsspannung 600V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 4mm
	Serie 2ED2304S06F
	Höhe 1.75mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - 2ED2304S06FXUMA1

Gate-Treiber der Serie 2ED2304S06F von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 600 V maximale Versorgungsspannung - 2ED2304S06FXUMA1

Dieser Gate-Treiber steuert MOSFET-Gates in Hochspannungsstromkreisen und bietet Zweikanal-Schaltfunktionen für Antriebsaufgaben über einen breiten Versorgungsbereich. Er ist für den oberflächenmontierten Einsatz in kompakten Leistungselektronik-Designs vorgesehen, bei denen moderater Antriebsstrom und schnelle Schaltübergänge erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Zwei Ausgänge für eine diskrete Gate-Steuerung für zwei Transistoren
• 360 mA Ausgangsstrom ermöglicht robuste Gate-Lade- und Entladefunktion
• Arbeitet mit einer 10-V-Versorgung zur Unterstützung von Niederspannungs-Antriebsschienen
• Hält bis zu 600 V für Hochspannungsschaltanwendungen stand
• Schnelle Anstiegszeit von 48 ns verbessert die Einschaltgeschwindigkeit und die Schaltleistung
• Fallzeit 40 ns reduziert Abschalt-Übergangsverluste und Klingelton

Anwendungsbereich

• Geeignet für Halbbrücken- und Push-Pull-Wechselrichterstufen
• Ideal für Hochspannungsswitch-Netzwerke in Stromwandlern
• Einsatz mit MOSFETs in industriellen Motorantriebssystemen
• Kann für isolierte Gate-Treiber-Front-Ends mit Transformatoren verwendet werden
• Wird für kompakte Leistungsmodule verwendet, bei denen der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist

Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?

Er ist für den Betrieb von -40 °C bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 125 °C ausgelegt.

Welche Gehäuse- und Leiterplattenmontage sollte für kompakte Layouts verwendet werden?

Die Komponente wird in einem 8-poligen DSO-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage mit einer Grundfläche von 4 mm Breite und 5 mm Länge vorgesehen ist.

Wie viele Treiberkanäle und Ausgänge bietet er für den Schaltungsbau?

Das Gerät enthält zwei Treiberkanäle und bietet zwei separate Ausgänge für unabhängige Gate-Schaltung.

Entspricht es den Umweltbeschränkungen für Materialien?

Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.

Für welchen Schaltgerätetyp ist er ausgelegt?

Er ist speziell als MOSFET-Gate-Treiber zur Steuerung von MOSFET-Geräten konfiguriert.