Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 350 mA 20V 24-Pin PG-DSO 20ns

Der Infineon 6ED2230S12T ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT mit drei unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen für dreiphasige Anwendungen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder TTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Von diesem Widerstand kann auch eine Überstromschutzfunktion abgeleitet werden, die alle sechs Ausgänge abschließt.

Voll funktionsfähig bis +1200 V
Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Ausgangsquelle/Senkenstrombelastbarkeit +0,35 A/-0,65 A.