Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225V 17 ns

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Herst. Teile-Nr.:
IR2213STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

16

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

17ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

25ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

1225V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

IR2213(S)PBF

Höhe

2.65mm

Länge

10.5mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IR2213(S) ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik.

Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb

Voll funktionsfähig bis +1200 V

Tolerant gegenüber negativer Überspannung und unempfindlich gegenüber dV/dt

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 12 V bis 20 V.

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