Infineon Gate-Treiber MOSFET 2 A 14-Pin PDIP 0.3V 25 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6188
Herst. Teile-Nr.:: IRS2110STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 2 A 14-Pin PDIP 0.3V 25 ns

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Herst. Teile-Nr.:: IRS2110STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	2A
	Pinanzahl	14
	Abfallzeit	25ns
	Gehäusegröße	PDIP
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	25ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	0.3V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Höhe	2.65mm
	Länge	10.5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant
	Serie	IRS
	Breite	7.6mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 2A
	Pinanzahl 14
	Abfallzeit 25ns
	Gehäusegröße PDIP
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 25ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 0.3V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Höhe 2.65mm
	Länge 10.5mm
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant
	Serie IRS
	Breite 7.6mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS2110STRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 2 A Ausgangsstrom – IRS2110STRPBF

Dieser Gate-Treiber bietet eine Zweikanal-MOSFET-Ansteuerungsfähigkeit für Leistungsschaltanwendungen und wurde für die Schnittstelle zwischen Logikpegel-Steuerungen und Leistungstransistoren entwickelt, während er in einem breiten Temperaturbereich arbeitet. Er wird als 14-poliges PDIP-Gerät für die Oberflächenmontage geliefert und bietet gezielte Leistung für Systeme, die einen moderaten Ausgangsantrieb und schnelle Schaltübergänge erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Zwei Ausgänge liefern einen Antriebsstrom von 2 A für effiziente MOSFET-Schaltung
• Die minimale Versorgungsspannung von 10 V gewährleistet stabile Gate-Antriebspegel
• Die Anstiegszeit von 25 ns ermöglicht ein schnelles Einschalten für geringere Schaltverluste
• Die Fallzeit von 25 ns sorgt für eine schnelle Abschaltung zur Begrenzung der Querleitung
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 bis 125 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen
• Die RoHS-konforme Konstruktion unterstützt regulierte Fertigungsprozesse

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs in Motorsteuerungen
• Ideal für den Einsatz in Gate-Stufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Leistungsschaltern verwendet
• Kann für die industrielle Inverter-Gate-Steuerung verwendet werden
• Wird für Pulsweitenmodulations-Gate-Treiber-Schaltkreise verwendet

Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplatten-Integration verwendet?

Er wird in einem 14-poligen PDIP-Gehäuse geliefert, das für Durchsteckmontage oder kompatible Oberflächenmontageanordnungen geeignet ist.

Welche Strombelastbarkeit sollten Entwickler pro Ausgang erwarten?

Jeder Ausgang kann bis zu 2 A liefern oder ableiten, um gängige MOSFET-Gatter direkt anzutreiben.

Welche Versorgungsspannungsbeschränkungen gelten während der Konstruktion?

Der Treiber benötigt eine minimale Versorgungsspannung von 10 V und ist mit einer Niederspannungsschwellenreferenz von maximal 0,3 V für bestimmte interne Pegel spezifiziert.

Wie verhält sich das Gerät bei hohen Umgebungstemperaturen?

Das Gerät ist für den Betrieb bei maximal 125 °C ausgelegt, was den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Systemen ermöglicht.