Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6210P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2186STRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6210P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2186STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | IRS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie IRS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 4 A Ausgangsstrom – IRS2186STRPBF
Dieser Gate-Treiber bietet eine einkanalige MOSFET-Antriebsfunktion für elektronische Schaltanwendungen und arbeitet mit einer Niederspannungsversorgung zur Steuerung externer Leistungstransistoren. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und führt ein schnelles Schalten von MOSFET-Gates innerhalb eines definierten Temperaturbereichs durch.
Merkmale und Vorteile:
• 4 A Spitzen-Ausgangsstrom für starke Gate-Ladungsabgabe
• Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Anstiegszeit von 22 ns für schnelle Einschaltumschaltungen
• Abfallzeit von 30 ns für schnelles Abschaltverhalten
• Single-Treiber mit zwei Ausgängen für komplementäre Gate-Steuerung
• RoHS-konforme Konstruktion unterstützt regulatorische Präferenzen
• Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Anstiegszeit von 22 ns für schnelle Einschaltumschaltungen
• Abfallzeit von 30 ns für schnelles Abschaltverhalten
• Single-Treiber mit zwei Ausgängen für komplementäre Gate-Steuerung
• RoHS-konforme Konstruktion unterstützt regulatorische Präferenzen
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Gate-Ansteuerung in Leistungsumwandlungsmodulen
• Ideal für die Ansteuerung von MOSFETs in Motorsteuerungsstufen
• Wird mit Halbbrücken-Topologien verwendet, die zwei Ausgänge erfordern
• Kann für Schaltnetzteile verwendet werden, die ein schnelles Schalten erfordern
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungen
• Ideal für die Ansteuerung von MOSFETs in Motorsteuerungsstufen
• Wird mit Halbbrücken-Topologien verwendet, die zwei Ausgänge erfordern
• Kann für Schaltnetzteile verwendet werden, die ein schnelles Schalten erfordern
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungen
Welcher Gehäusetyp wird für die Platinenmontage verwendet?
Er wird in einem oberflächenmontierten SOIC-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Platzierung geeignet ist.
In welchem Umgebungsbereich kann er betrieben werden?
Das Gerät arbeitet zwischen -40 °C und 125 °C für unterschiedliche thermische Umgebungen.
Wie viele Stifte sind für die Leiterplattenverlegung verfügbar?
Das Gehäuse bietet acht Stifte für elektrische und Montageanschlüsse.
Unterstützt es die Zertifizierung im Automobilbereich?
Es ist nicht nach Automobilstandards zertifiziert und darf nicht davon ausgehen, dass es diese Anforderungen erfüllt.