Infineon Universaltreiber Universal 20 A 1 20-Pin DSO 5.5 V 45 ns
- RS Best.-Nr.:
- 232-3032
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 232-3032
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Universaltreiber | |
| Ausgangsstrom | 20A | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Abfallzeit | 45ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Anzahl der Ausgänge | 4 | |
| Treiber-Typ | Universal | |
| Anstiegszeit | 55ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.4 mm | |
| Länge | 7.5mm | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Serie | 1EDI3030AS | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Universaltreiber | ||
Ausgangsstrom 20A | ||
Pinanzahl 20 | ||
Abfallzeit 45ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Anzahl der Ausgänge 4 | ||
Treiber-Typ Universal | ||
Anstiegszeit 55ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.4 mm | ||
Länge 7.5mm | ||
Höhe 2.65mm | ||
Serie 1EDI3030AS | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der Infineon verfügt über einen für die Automobilindustrie qualifizierten Einkanal-Hochspannungstortreiber, der für SiC MOSFET optimiert ist. Der 1DI3030AS verwendet eine robuste Infineon-Corteless Transformatortechnologie, um eine bidirektionale Signalübertragung über die galvanische Trennbarriere zu ermöglichen. Das kompakte Gehäusedesign und die hohe Funktionsintegration sparen wertvollen Platz auf der Leiterplatte und Systemkosten, während vorkonfigurierte Einstellungen den Designaufwand reduzieren.
Für SiC-MOSFETs bis 1200 V
Laufzeit: 60 ns (typisch)
Redundanter DESAT- und OCP-Schutz
Gate- und Ausgangsstufenüberwachung
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