Infineon MOSFET MOSFET 5.6 A 1 8-Pin PG-DSO-8 15 V 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 234-8941
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB8275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.6.355
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.271 | CHF.6.36 |
| 50 - 120 | CHF.1.082 | CHF.5.41 |
| 125 - 245 | CHF.1.019 | CHF.5.09 |
| 250 - 495 | CHF.0.945 | CHF.4.72 |
| 500 + | CHF.0.882 | CHF.4.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-8941
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB8275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 5.6A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 8.3ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | 1EDB8275F | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 5.6A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 8.3ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 15V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Serie 1EDB8275F | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber-IC von Infineon in einem 150-mil-DSO-Gehäuse ist in einem 8-poligen mit 4 mm-Kriechstrecker zwischen Eingang und Ausgang erhältlich. Er bietet Isolierung durch integrierte kernlose Transformator-Technologie (CT).
260 °C maximaleLöttemperatur
150 °CVerbindungstemperatur
5Apk Rückstromspitze
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