Infineon Gate-Treiber MOSFET 5.6 A 1 8-Pin PG-DSO-8 15V 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 234-8941
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB8275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB8275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 5.6A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 8.3ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4mm | |
| Serie | 1EDB8275F | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 5.6A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 8.3ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4mm | ||
Serie 1EDB8275F | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie 1EDB8275F von Infineon, 5,6 A Ausgangsstrom, 3 V Mindestversorgungsspannung - 1EDB8275FXUMA1
Dieser Gate-Treiber bietet eine kompakte Schnittstelle zur Steuerung von Leistungs-MOSFETs in Niederspannungsanlagen und liefert einen einzigen Hochstrom-Antriebskanal mit zwei Ausgängen für Schaltanwendungen. Er arbeitet über einen moderaten Versorgungsbereich und ist für die Oberflächenmontage-Integration vorgesehen, bei der schnelle Schaltübergänge und eine geringe Gehäusefläche erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Treibt MOSFET-Gates mit 5,6 A Ausgangsstrom für schnelle Schaltleistung
• Betrieb von 3 V bis 15 V Versorgung für flexiblen Niederspannungs-Einsatz
• Erreicht eine Anstiegszeit von 8,3 ns für geringere Einschaltverluste
• Liefert eine Abfallzeit von 9 ns, um die Schaltbelastung der Geräte zu begrenzen
• Einfacher Treiber mit zwei Ausgängen für vereinfachte Gate-Steuerung
• 8-poliges DSO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage für kompakte Leiterplatten-Layouts
• Betrieb von 3 V bis 15 V Versorgung für flexiblen Niederspannungs-Einsatz
• Erreicht eine Anstiegszeit von 8,3 ns für geringere Einschaltverluste
• Liefert eine Abfallzeit von 9 ns, um die Schaltbelastung der Geräte zu begrenzen
• Einfacher Treiber mit zwei Ausgängen für vereinfachte Gate-Steuerung
• 8-poliges DSO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage für kompakte Leiterplatten-Layouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für die MOSFET-Gate-Steuerung in Schaltnetzteilen
• Ideal für Gate-Pufferungsaufgaben von Motor-Treiber-Wechselrichtern
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die schnelle Übergänge erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichter-Gate-Treiber-Schaltkreise verwendet werden
• Nützlich für das Prototyping von Leistungselektronik auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Gate-Pufferungsaufgaben von Motor-Treiber-Wechselrichtern
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die schnelle Übergänge erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichter-Gate-Treiber-Schaltkreise verwendet werden
• Nützlich für das Prototyping von Leistungselektronik auf kompakten Leiterplatten
Welchen Umgebungstemperaturbereich verträgt er?
Er ist für den Betrieb zwischen -40 °C und 125 °C ausgelegt.
Wie viele Stifte sind für das Leiterplatten-Layout verfügbar?
Das Gerät wird in einem 8-poligen Gehäuse für die Footprint-Planung geliefert.
Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage auf der Leiterplatte vorgesehen.
Sind die Gehäuseabmessungen für dichte Baugruppen geeignet?
Das Gehäuse misst 4 mm in der Breite, 5 mm in der Länge und 1,75 mm in der Höhe.
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