Infineon MOSFET MOSFET 2 A 11-Pin PG-VSON-10 11 V 3 ns

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RS Best.-Nr.:
240-8518
Herst. Teile-Nr.:
1EDN7116GXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

11

Gehäusegröße

PG-VSON-10

Abfallzeit

3ns

Treiber-Typ

MOSFET

Minimale Versorgungsspannung

11V

Maximale Versorgungsspannung

11V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7116G ist ein Einkanal-Gate-Treiber-IC, der für die Kompatibilität mit CoolGaNTM-HEMTs optimiert ist, und er ist auch kompatibel mit anderen Schottky-Gate-HEMTs (SG) und Silizium-MOSFETs. Dank des wirklich differenziellen Eingangs-Funktion (TDI) wird der Gate-Treiber-Ausgangszustand ausschließlich durch den Spannungsunterschied zwischen den beiden Eingängen gesteuert und völlig unabhängig vom Referenzpotenzial des Treibers (Erdung), solange die Gleichtaktspannung unter 150 V (statisch) und 200 V (dynamisch) liegt. Dies beseitigt das Risiko einer falschen Auslösung durch Erdungsprellen in Low-Side-Anwendungen, während der 1EDN7116G auch High-Side-Anwendungen ansprechen kann.

Vermeiden Sie falsche Auslösung im Low- oder High-Side-Betrieb

Hoher Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich für den High-Side-Betrieb

Robuster Betrieb bei schnellen Schalttransienten

Kompatibel mit 3,3-V- oder 5-V-Eingangslogik.

Aktive Miller-Klemme mit 5-A-Sinkfähigkeit, um ein induziertes Einschalten zu vermeiden

Einstellbare Ladepumpe für negative Abschaltungs-Versorgungsspannung

Geeignet für den Antrieb von GaN-HEMTs oder Si-MOSFETs

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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