onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 5V 16-Pin SOIC 16ns

Der isolierte on Semiconductor-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit hohem Strom ist ein Hochstrom-Einkanal. IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (Version A/D/F), negatives Netzteil (Version B) und separate Treiberausgänge für Hoch- und Niederspannung (OUTH und OUTL) (Version C/E) für mehr Komfort beim Systemdesign. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem SOIC-8-Gehäuse mit breitem Gehäuse erhältlich.

Hoher Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)
Niedriger Spannungsabfall an der Klemme beseitigt den Bedarf an negativem Netzteil, um ein Einschalten des Spurious Gate zu verhindern (Version A/D/F)
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung
IGBT/MOSFET-Gate-Klemmen während eines Kurzschlusses
IGBT/MOSFET Gate Active Pull-Down
Enge UVLO-Schwellenwerte für Biegsamkeit
Großer Bias-Spannungsbereich einschließlich negativem VEE2 (Version B)
3,3-V-, 5-V- und 15-V-Logik-Eingang
Galvanische Isolierung mit 5 kV eff
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit