DiodesZetex Gate-Treiber-Modul 690 mA 2 8-Pin SOIC 624 V 20 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.13.02

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2’500 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.604CHF.13.04
50 - 95CHF.2.216CHF.11.06
100 - 245CHF.1.89CHF.9.47
250 +CHF.1.775CHF.8.88

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7492
Herst. Teile-Nr.:
DGD2190MS8-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

690mA

Pinanzahl

8

Abfallzeit

20ns

Gehäusegröße

SOIC

Minimale Versorgungsspannung

-0.3V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

624V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex ist ein Hochspannungs-/Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, der N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration antreiben kann. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen die Hochspannungsseite des DGD2005, in einem Bootstrap-Betrieb auf 200 V umzuschalten. Die Ausbreitungsverzögerung von 30 ns (maximal) zwischen den Treibern der Hoch- und Niederspannungsseite ermöglicht ein Hochfrequenzschalten. Der DGD2005 ist in einem platzsparenden SO-8-Gehäuse erhältlich und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich von –40 °C bis +125 °C.

Große Low-Side-Gate-Treiber-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Schwimmender High-Side-Treiber im Bootstrap-Betrieb bis 600 V Treibt 2 N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber Erweiterter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Verwandte Links