ROHM BD2320EFJ-LAE2 MOSFET MOSFET 4.5 A HTSOP-J8 32 V 6 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.4.158

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 82 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 48CHF.2.079CHF.4.17
50 - 98CHF.1.764CHF.3.54
100 - 248CHF.1.365CHF.2.72
250 - 998CHF.1.334CHF.2.67
1000 +CHF.1.008CHF.2.03

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
255-7660
Herst. Teile-Nr.:
BD2320EFJ-LAE2
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

4.5A

Abfallzeit

6ns

Gehäusegröße

HTSOP-J8

Treiber-Typ

MOSFET

Minimale Versorgungsspannung

32V

Maximale Versorgungsspannung

32V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

BD2320E

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Leiterplattenmontage

Automobilstandard

Nein

Der Hochfrequenz-Hoch- und Niederspannungs-Treiber von ROHM ist ein Hoch- und Niederspannungs-Gate-Treiber mit einer maximalen Spannung von 100 V, der externe N-Kanal-FETs mithilfe der Bootstrap-Methode antreiben kann. Der Treiber umfasst eine 100-V-Bootstrap-Diode und unabhängige Eingangssteuerung für die Hoch- und Niederspannungsseite. 3,3 V und 5,0 V sind für die Schnittstellenspannung erhältlich. Unterspannungs-Verriegelungsschaltkreise sind für die Hoch- und Niederspannungsseite integriert.

Langzeit-Unterstützungsprodukt für industrielle Anwendungen Unterspannungsverriegelung (UVLO) für High-Side- und Low-Side-Treiber 3,3 V und 5,0 V Schnittstellen-Ausgangsspannung In-Phase mit Eingangssignal

Verwandte Links