Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul Halbbrücke 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 10 ns

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RS Best.-Nr.:
256-1547
Herst. Teile-Nr.:
HIP2100IBZT7A
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

10ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

Halbbrücke

Anstiegszeit

10ns

Minimale Versorgungsspannung

9V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

14V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

5mm

Serie

HIP2100

Höhe

1.75mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Platine

Automobilstandard

Nein

Der Halbbrücken-Treiber von Renesas ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit 100 V. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden unabhängig gesteuert und auf 8 ns abgestimmt. Dies bietet dem Benutzer maximale Flexibilität bei der Auswahl von Dead-Time- und Treiberprotokoll. Der Unterspannungsschutz an den Low-Side- und High-Side-Versorgungen zwingt die Ausgänge niedrig zu halten. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die mit anderen Treiber-ICs erforderlich ist. Eine neue Pegel-Schalter-Topologie bietet die geringe Leistungsaufnahme des Impulsbetriebs mit der Sicherheit des DC-Betriebs. Im Gegensatz zu einigen Wettbewerbern kehrt der Hochspannungsausgang nach einer kurzzeitigen Unterspannung der Hochspannungsversorgung in seinen korrekten Zustand zurück.

Treibt N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke,

bleifrei (RoHS-konform)

max. Bootstrap-Versorgungsspannung bis 114 V

COn-Chip, 1 Ω Bootstrap-Diode,

schnelle Ausbreitungszeiten für Multi-MHz-Schaltkreise,

treibt 1000 pF Last mit Anstiegs- und Abfallzeiten typisch von 10 ns,

CMOS-Eingangsschwellenwerte für verbesserte Störfestigkeit,

niedriger Stromverbrauch,

großer Versorgungsspannungsbereich, Unterspannungsschutz

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