Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 185 μA 24-Pin SOIC 15 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 256-1551
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP4086ABZT
- Marke:
- Renesas Electronics
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- HIP4086ABZT
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 185μA | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 185μA | ||
Pinanzahl 24 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET-Treiber von Renesas ist ein dreiphasiger N-Kanal-MOSFET-Treiber. Beide Teile sind speziell für die PWM-Motorsteuerung vorgesehen. Diese Treiber verfügen über ein flexibles Eingangsprotokoll zur Steuerung jeder möglichen Schalterkombination. Der Benutzer kann sogar den Durchschlagsschutz für geschaltete Widerstandsanwendungen umschalten.
Unabhängig voneinander treibt 6 N-Kanal-MOSFETs in 3-Phasen-Brückenkonfiguration.
Bootstrap liefert maximale Spannung bis zu 95 V dc mit Bias-Versorgung von 7 V bis 15 V.
1,25 A Spitzenabschaltstrom.
Vom Benutzer programmierbare Totzeit (0,5 μs bis 4,5 μs).
Bootstrap und optionale Ladungspumpe halten die High-Side-Treiber-Bias-Spannung.
Programmierbare Bootstrap-Aktualisierungszeit
Treibt 1000 pF Last mit einer typischen Anstiegszeit von 20 ns und einer Fallzeit von 10 ns
Programmierbarer Unterspannungs-Einstellungspunkt
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