Infineon Gate-Treiber Gate-Treiber 600 mA 8-Pin PDIP 600 V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 257-5580
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2104PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.638 | CHF.81.64 |
| 100 - 200 | CHF.1.554 | CHF.77.60 |
| 250 - 450 | CHF.1.47 | CHF.73.50 |
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| 1000 + | CHF.1.271 | CHF.63.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5580
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2104PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 600mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 70ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IRS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 600mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 70ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IRS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons Halbbrückentreiber ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen High- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Querleitung der Treiber ausgelegt ist. Der schwebende Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die von 10 V bis 600 V arbeitet.
Floating-Gate-Treiber für Bootstrap-Betrieb
Voll funktionsfähig bis +600 V
Tolerant gegenüber negativer transienter Spannung, dV/dt immun
Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungs-Lockout
Kompatibel mit 33 V, 5 V und 15 V Logikeingängen
Logik zur Vermeidung von Querschlüssen
Abgestimmte Laufzeitverzögerung für beide Kanäle
Intern eingestellte Totzeit
High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang
Shutdown-Eingang schaltet beide Kanäle ab
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