Infineon 1ED3121MU12HXUMA1 Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 14 A 8-Pin PG-DSO-8 5 V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-0589
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3121MU12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 1ED3121MU12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 14A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 14A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der kompakte 1-Kanal-isolierte Gate-Treiber von Infineon EiceDRIVER mit 5,5 A typischem Sink- und Quellen-Spitzenausgangsstrom in einem breiten DSO-8-Gehäuse mit großem Creep-Alterabstand für IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs. Der kompakte Ein-Kanal-EiceDRIVER bietet einen getrennten Sink- und Quellenausgang, genaue und stabile Zeitsteuerung, aktive Abschaltung, um einen sicheren IGBT-Aus-Zustand zu gewährleisten, falls der Ausgangschip nicht mit der Stromversorgung verbunden ist, Kurzschlussklemmen, um die Gate-Spannung während eines Kurzschlusses zu begrenzen. Der Treiber kann über einen großen Versorgungsspannungsbereich, entweder unipolar oder bipolar, betrieben werden.
Galvanisch isolierter Trafo-Gate-Treiber ohne Kern
5,5 A typischer Sink- und Quellen-Spitzenausgangsstrom
40 V absolute maximale Ausgangsspannung
90 ns Ausbreitungsverzögerung mit 30 ns Eingangsfilter
Hohe Gleichtakt-Übergangsimmunität CMTI >200 kV/μs
Separate Quellen- und Sink-Ausgänge
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