Infineon MOSFET MOSFET 8 A 3.5 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-0618P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDF7275KXUMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 20 - 48 | CHF.1.764 |
| 50 - 98 | CHF.1.659 |
| 100 - 198 | CHF.1.544 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0618P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDF7275KXUMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon EiceDRIVER ist ein funktionaler isolierter Gate-Treiber für Hochleistungs-DC/DC-Mittelspannungs-, Halb- und Vollbrückentopologien. Die Quell-/Sinkströme von 4 A/8 A in Kombination mit einer kurzen Ausbreitungsverzögerung von 37 ns und der äußerst genauen Zeitsteuerung über Temperatur und Produktion sind die perfekte Passform für die Hochfrequenz-PWM-Steuerung mit möglichst engen Totzeitfenstern und bieten höchste Umwandlungseffizienz. Die sehr niedrige Impedanz der Gate-Treiber-Ausgangsstufen hält das Treibergehäuse und die Leiterplatte kühler, was ein wichtiger Vorteil bei Hochdichte-Power-Brick-Wandlern ist.
Schnelles Schalten der Stromversorgung mit genauem Timing
Optimiert für Flächen- und kostengünstige System-BOM
Robuste Bauweise gegen Schaltgeräusche
Wirkungsgradssteigerung und geringere Verluste
Besseres thermisches Verhalten bei geringerem Formfaktor