Infineon Gate-Treiber-Modul Halbbrücke 420 mA 8-Pin SOIC 600 V 40 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-3930
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2111STRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’627.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.651 | CHF.1’622.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3930
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2111STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 420mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 40ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | Halbbrücke | |
| Anstiegszeit | 130ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IR2111(S) & (PbF) | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 420mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 40ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ Halbbrücke | ||
Anstiegszeit 130ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IR2111(S) & (PbF) | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Halbbrücken-Treiber von Infineon ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen Hoch- und Niederspannungs-Ausgangskanälen, die für Halbbrückenanwendungen entwickelt wurden. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS-Ausgängen. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Die interne Totzeit wird bereitgestellt, um Durchschlag in der Ausgangs-Halbbrücke zu vermeiden. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 Volt betrieben wird.
Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Intern eingestellte Leerlaufzeit
Hochseitiger Ausgang in Phase mit Eingang
Verwandte Links
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 8-Pin SOIC 8N 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS SOIC 8N 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL SOIC 8N 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL SOIC 8N 80ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 8-Pin SOIC 8N 50ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS PLCC44 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 20V 8-Pin SOIC 8N 65ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 8-Pin DSO-8 40ns
