Infineon Gate-Treiber-Modul 1.8 A 14-Pin SOIC 20V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-3945P
- Herst. Teile-Nr.:
- IR21844STRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3945P
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- IR21844STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 1.8A | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IR2184(4)(S) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 1.8A | ||
Pinanzahl 14 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IR2184(4)(S) | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen Hoch- und Niederspannungs-Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Treiberkreuzleitung ausgelegt ist. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 Volt betrieben wird.
Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Leistungserdung +/- 5 V Offset.
Geringere Di/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit
Ausgangsquellen-/Sinkstromvermögen: 1,4 A/1,8 A
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