Infineon Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber SOIC-14N 625 V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-4012P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21834STRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 20 - 48 | CHF.1.576 |
| 50 - 98 | CHF.1.475 |
| 100 - 198 | CHF.1.364 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-4012P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21834STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Gehäusegröße | SOIC-14N | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 625V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Gehäusegröße SOIC-14N | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 625V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Halbbrückentreiber von Infineon sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 V betrieben wird.
Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Leistungserdung +/- 5 V Offset
Geringere Di/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit
Ausgangsquellen-/Sinkstromvermögen: 1,4 A/1,8 A
RoHS-konform