Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 700 mA 8-Pin DSO-8 17.50V 40 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF 6.06

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 580 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF 1.212CHF 6.08
50 - 120CHF 1.04CHF 5.22
125 - 245CHF 0.97CHF 4.86
250 - 495CHF 0.909CHF 4.57
500 +CHF 0.727CHF 3.65

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5053
Herst. Teile-Nr.:
2EDL05N06PFXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber-IC

Ausgangsstrom

700mA

Pinanzahl

8

Abfallzeit

40ns

Gehäusegröße

DSO-8

Treiber-Typ

Gate-Treiber

Anstiegszeit

80ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

17.50V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

2ED

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Gate-Treiber-IC der Serie 2ED von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 0,70 A Ausgangsstrom – 2EDL05N06PFXUMA1


Dieser Gate-Treiber-IC bietet eine gezielte Lösung für die Ansteuerung von Leistungstransistoren innerhalb eines moderaten Versorgungsspannungsbereichs. Es nimmt niedrige bis mittlere Versorgungsspannungen auf und liefert Schaltantriebe für die Gate-Steuerung in kompakten Gehäusen. Das Gerät eignet sich für elektronische Baugruppen, die ein kontrolliertes Ein- und Ausschaltverhalten über einen breiten Umgebungstemperaturbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Versorgungsbereich von 10 V bis 17,50 V ermöglicht eine flexible Auswahl an Systemschienen
• Der Ausgangsstrom von 0,70 A treibt die gängigen Leistungs-MOSFET-Gates effektiv an
• Anstiegszeit von 80 ns reduziert Schaltübergangsverluste unter Last
• 40 ns Fallzeit unterstützt schnelles Abschalten und verbesserte Schaltsteuerung
• Das 8-polige DSO-8-Gehäuse minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für kompakte Designs

Anwendungsbereich


• Geeignet für Gate-Antriebe in MOSFET-Stufen mit mittlerer Leistung
• Ideal für die Leistungsschaltung in industriellen Steuermodulen
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Transistor-Anordnungen verwendet
• Kann für schnelle Pulsweitenmodulationsantriebsstromkreise verwendet werden

In welchem Umgebungstemperaturbereich kann es betrieben werden?


Er funktioniert in einem Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C.

Welches Gehäuse sollte bei platzbeschränkten Layouts in Betracht gezogen werden?


Das Gerät wird in einem DSO-8-Gehäuse mit acht Pins für eine kompakte Integration geliefert.

Ist die Komponente für Bereiche geeignet, in denen gefährliche Materialien eingeschränkt sind?


Das Gerät entspricht den RoHS-Normen und schließt bestimmte eingeschränkte Stoffe aus.

Wie hoch ist die maximale Begrenzung der Versorgungsspannung, um Schäden zu vermeiden?


Die höchstzulässige Versorgungsspannung beträgt 17,50 V.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.