Infineon IR4427PBF MOSFET MOSFET 1.5 A 2 8-Pin PDIP 20 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 262-6720
- Herst. Teile-Nr.:
- IR4427PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.815
Auf Lager
- Zusätzlich 2’500 Einheit(en) mit Versand ab 01. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.163 | CHF.10.84 |
| 25 - 45 | CHF.1.691 | CHF.8.44 |
| 50 - 120 | CHF.1.586 | CHF.7.92 |
| 125 - 245 | CHF.1.481 | CHF.7.38 |
| 250 + | CHF.1.386 | CHF.6.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-6720
- Herst. Teile-Nr.:
- IR4427PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 3.99 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 4.98mm | |
| Serie | IR4426 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 3.99 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 4.98mm | ||
Serie IR4426 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon verfügt über proprietäre verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien, die eine robuste monolithische Konstruktion ermöglichen. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen. Der Ausgangstreiber verfügt über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung.
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Ausgänge in Phase mit Eingängen
CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge
Verwandte Links
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,5 A 6 → 20V 8-Pin PDIP 10ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,5 A 6 → 20V 8-Pin SOIC 10ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP 40ns
- onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 2 A 20V 8-Pin PDIP
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, LSTTL 20V 14-Pin 14-adriges PDIP 17ns
- Microchip MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 30V 8-Pin PDIP
- Microchip MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 18V 8-Pin PDIP
- Microchip MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,5 A 30V 8-Pin PDIP 33ns
