Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 5 V 8 ns
- RS Best.-Nr.:
- 262-7250P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL6208IRZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 8ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 8ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -10°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Serie | ISL6208 | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 8ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 8ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Betriebstemperatur min. -10°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Serie ISL6208 | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Gate-Treiber von Renesas Electronics sind Hochfrequenz-MOSFET-Treiber, die für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in einer synchron-gleichgerichteten Abwärtswandler-Topologie optimiert sind. Sie eignen sich besonders für mobile Computeranwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und hervorragende thermische Eigenschaften erfordern.
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