Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 3 A 8-Pin SOIC 100V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 264-0589P
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2101EIBZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 42.32
Auf Lager
- Zusätzlich 888 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 48 | CHF 4.232 |
| 50 - 98 | CHF 4.00 |
| 100 - 248 | CHF 3.454 |
| 250 + | CHF 3.283 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-0589P
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2101EIBZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 3A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 100V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 100V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | HIP2101 | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 3A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 100V | ||
Maximale Versorgungsspannung 100V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie HIP2101 | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Gate-Treiber von Renesas Electronics ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber mit einem dreistufigen PWM-Eingang mit einer Betriebsversorgung und integrierter High-Side-Bootstrap-Vorspannung. Er unterstützt den Antrieb von High-Side- und Low-Side-NMOS in Halbbrückenanwendungen.
Programmierbare Totzeit verhindert Durchschlag
Bidirektionaler Wandler