Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul NMOS 100V 10-Pin 790ns
- RS Best.-Nr.:
- 264-3550
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2210FRTZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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CHF.1.659
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 20 | CHF.1.659 | CHF.8.316 |
| 25 - 45 | CHF.1.418 | CHF.7.098 |
| 50 - 95 | CHF.1.397 | CHF.6.962 |
| 100 - 245 | CHF.1.197 | CHF.5.985 |
| 250 + | CHF.1.134 | CHF.5.691 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 264-3550
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2210FRTZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Die Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber von Renesas Electronics. Dies ist ein dreistufiger PWM-Eingang mit programmierbarer Leerlaufzeit. Sein großer Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis
18-V- und integrierter High-Side-Bootstrap unterstützt Dioden, die den High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen antreiben.
18-V- und integrierter High-Side-Bootstrap unterstützt Dioden, die den High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen antreiben.
Integrierte 0,5 Ω typische Bootstrap-Diode
Robuste Störtoleranz
VDD- und Boot-Unterspannungsabschaltung
Robuste Störtoleranz
VDD- und Boot-Unterspannungsabschaltung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Logik-Typ | NMOS |
| Versorgungsspannung | 100V |
| Pinanzahl | 10 |
| Abfallzeit | 790ns |