Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 1.69 mA 10-Pin SOIC 100V 790 ns
- RS Best.-Nr.:
- 264-3550P
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2210FRTZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 1.404 |
| 50 - 95 | CHF 1.384 |
| 100 - 245 | CHF 1.182 |
| 250 + | CHF 1.131 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-3550P
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2210FRTZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 1.69mA | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 790ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 20ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 100V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 100V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | HIP2210 | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 1.69mA | ||
Pinanzahl 10 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 790ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 20ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 100V | ||
Maximale Versorgungsspannung 100V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie HIP2210 | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber von Renesas Electronics. Dies ist ein dreistufiger PWM-Eingang mit programmierbarer Leerlaufzeit. Sein großer Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis
18-V- und integrierter High-Side-Bootstrap unterstützt Dioden, die den High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen antreiben.
Integrierte 0,5 Ω typische Bootstrap-Diode
Robuste Störtoleranz
VDD- und Boot-Unterspannungsabschaltung