ROHM Gate-Treiber-Modul 4.5 A 2 8-Pin HTSOP-J8 100 V 6 ns
- RS Best.-Nr.:
- 267-2270
- Herst. Teile-Nr.:
- BD2320UEFJ-LAE2
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.2’337.50
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | CHF.0.935 | CHF.2’336.25 |
| 5000 + | CHF.0.914 | CHF.2’275.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 267-2270
- Herst. Teile-Nr.:
- BD2320UEFJ-LAE2
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 4.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 6ns | |
| Gehäusegröße | HTSOP-J8 | |
| Anstiegszeit | 6ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 100V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 100V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 6 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | BD2320UEFJ-LA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 4.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 6ns | ||
Gehäusegröße HTSOP-J8 | ||
Anstiegszeit 6ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 100V | ||
Maximale Versorgungsspannung 100V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 6 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Serie BD2320UEFJ-LA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM BD2320UEFJ-LA ist ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer maximalen Spannung von 100 V, der externe Nch-FETs nach dem Bootstrap-Verfahren ansteuern kann. Der Treiber enthält eine 100-V-Bootstrap-Diode und eine unabhängige Eingangssteuerung für High-Side und Low-Side. Als Schnittstellenspannung stehen 3,3 V und 5,0 V zur Verfügung. Unterspannungsabschaltungen sind für High-Side und Low-Side integriert.
Langfristig einsetzbares Produkt für Industrieanwendungen
Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber
Schnittstellenspannung 3,3 V und 5,0 V
Ausgang gleichphasig mit Eingangssignal
Verwandte Links
- ROHM Gate-Ansteuerungsmodul 4,5 A 100V 8-Pin HTSOP-J8 6ns
- ROHM MOSFET-Gate-Ansteuerung 4,5 A 32V HTSOP-J8 6ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul TTL 5 A 17V 10-Pin VSON 6ns
- Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul NMOS 100V 10-Pin 790ns
- Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 100V 8-Pin SOIC 10ns
- Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul 2 A 100V 14-Pin HTSSOP 16 60ns
- Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul TTL 1,8 A 100V 10-Pin VSSOP 0.6μs
- Infineon DR3KIMBGSICMA Gate-Ansteuerungsmodul MOSFET-Gate-Ansteuerung
