Microchip Gate-Treiber MOSFET 2 8-Pin SOIC 16V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 273-5004P
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC4605-2YM
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 9.39
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 20 | CHF 0.939 |
| 25 - 45 | CHF 0.828 |
| 50 - 90 | CHF 0.808 |
| 95 + | CHF 0.727 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5004P
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC4605-2YM
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 20ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 16V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 16V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | MIC4605 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 20ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 16V | ||
Maximale Versorgungsspannung 16V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie MIC4605 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip-Halbbrücken-MOSFET-Treiber mit adaptiver Leerlaufzeit und Durchschlagschutz. Die adaptive Leerlaufschaltung überwacht aktiv die Halbbrückenausgänge, um die Zeit zwischen den MOSFET-Übergängen auf der hohen und niedrigen Seite zu minimieren und so die Energieeffizienz zu maximieren.
On-Chip-Bootstrap-Diode
Geringer Stromverbrauch