onsemi MOSFET MOSFET 1.5 A 2 8-Pin SOIC 18V 15 ns
- RS Best.-Nr.:
- 808-3889P
- Herst. Teile-Nr.:
- MC34151DR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 98.00
Auf Lager
- 850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.98 |
| 250 + | CHF 0.848 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 808-3889P
- Herst. Teile-Nr.:
- MC34151DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 15ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 15ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Breite | 4mm | |
| Serie | MC34151 | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 15ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 15ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Breite 4mm | ||
Serie MC34151 | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET- und IGBT-Treiber, ON Semiconductor
Leistungstreiber für MOSFET und IGBT in Niederspannungs-, Hochspannungs-, und Halbbrückenstromkreisen.