Infineon MOSFET MOSFET -1 A 2 18-Pin SOIC 18 V 25 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.1’292.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.1.292CHF.1’294.65

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
919-8799
Herst. Teile-Nr.:
2ED020I12FIXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

-1A

Pinanzahl

18

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

25ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

30ns

Minimale Versorgungsspannung

18V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

18V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

7.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.45mm

Länge

12.8mm

Serie

2ED020I12FI

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

Isolierter Halbbrücken-Gattertreiber-IC EiceDRIVER, Infineon


Der EiceDRIVER2EDL ist eine Familie von kompakten Halbbrückentreibern mit 600 V, die Strom zum Aktiveren und Deaktivieren der Leistungsbauelemente liefert und eine Isolierung darstellt. Die erweiterte Serie EDL bietet einen Überspannungsschutz, eine aktive Abschaltung, und sie kann in Unterhaltungselektronik und Haushaltsgeräten verwendet werden. Die Serie Infineon EiceDRIVER 2EDL basiert auf der Pegelwandler-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI), die MOS-Transistoren steuert und eine Bootstrap-Diode umfasst.

Überstrom-Komparator

Aktivierungsfunktion, Fehleranzeige

Einzelne Steuerschaltkreise

Gefilterte Erkennung von Unterspannungsversorgung

Offline-Gate-Klemmfunktion

Abschaltung bei asymmetrischer Unterspannung

Extrem schnelle Bootstrap-Diode

MOSFET- und IGBT-Treiber, Infineon (International Rectifier)


Verwandte Links