Texas Instruments MOSFET 9 A 1 8-Pin PDIP
- RS Best.-Nr.:
- 922-3325
- Herst. Teile-Nr.:
- UCC37322P
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 922-3325
- Herst. Teile-Nr.:
- UCC37322P
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 9.81mm | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 9.81mm | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Texas Instruments UCC37322-Familie von Hochgeschwindigkeits-Treibern liefert 9 A Peak Drive Current in einer Industriestandard-Pinbelegung. Diese Treiber können die größte von MOSFETs für Systeme betreiben, die aufgrund von hohen dV/dt-Übergängen einen extremen Miller Strom benötigen. Dadurch entfallen zusätzliche externe Stromkreise und können mehrere Komponenten ersetzen, um Platz, Designkomplexität und Montagekosten zu reduzieren. Es werden zwei Standard-Logikoptionen angeboten: Invertierend und nicht invertierend.
Industriestandard-Pin-Out mit Zusatz von Enable
Funktion
Hohe Strombelastbarkeit von ±9 A bei
Die Miller Plateau Region mit True Drive
Effiziente Konstantstrom-Versorgung mit einem
Einzigartige bipolare und CMOS-Ausgangsstufe
TTL/CMOS-kompatible Eingänge, unabhängig von
Versorgungsspannung
Typische Anstiegs- und Abfallzeiten von 20 ns mit 10-nF
Last
Typische Ausbreitungsverzögerungszeiten von 25 ns mit
Eingang fällt ab und 35 ns mit steigender Eingangsspannung
4-V- bis 15-V-Versorgungsspannung
Erhältlich in thermisch verbesserter MSOP
Power PAD TM-Gehäuse mit 4,7 °C/W θjc
Ausgelegt für -40 °C bis +105 °C.
Bleifreie Oberfläche (CU NIPDAU) auf 8-poligem SOIC und
PDIP-Gehäuse
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