Broadcom ASSR-5211 SMD Halbleiterrelais AC/DC, nur DC, 1-poliger Schließer 600 V / 0,4 A
- RS Best.-Nr.:
- 189-4791
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-5211-301E
- Marke:
- Broadcom
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.5.082 | CHF.254.36 |
| 100 - 200 | CHF.4.946 | CHF.247.49 |
| 250 - 450 | CHF.4.82 | CHF.240.87 |
| 500 - 950 | CHF.4.694 | CHF.234.78 |
| 1000 + | CHF.4.578 | CHF.228.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 189-4791
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-5211-301E
- Marke:
- Broadcom
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Broadcom | |
| Laststrom max. | 0,4 A | |
| Montage Typ | Oberflächenmontage | |
| Lastspannung max. | 600 V | |
| Lastspannung min. | 600 V | |
| Steuerspannung max. | 0,8 V | |
| Schalttyp | AC/DC, nur DC | |
| Kontaktanordnung | 1-poliger Schließer | |
| Anschluss Typ | 6-polig | |
| Ausgangsschaltung | MOSFET | |
| Gehäuseform | DIP | |
| Serie | ASSR-5211 | |
| Einschaltzeit max. | 5ms | |
| Lastspannungsbereich | -600→ +600V | |
| Abmessungen | 9.9 x 6.6 x 3.68mm | |
| Höhe | 3.7mm | |
| Kapazität | 0.8pF | |
| Betriebstemperatur max. | +85°C | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1 μA | |
| Länge | 9.9mm | |
| Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Besondere Merkmale | Hochgeschwindigkeits-Photovoltaikdiode-Array | |
| Tiefe | 6.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Broadcom | ||
Laststrom max. 0,4 A | ||
Montage Typ Oberflächenmontage | ||
Lastspannung max. 600 V | ||
Lastspannung min. 600 V | ||
Steuerspannung max. 0,8 V | ||
Schalttyp AC/DC, nur DC | ||
Kontaktanordnung 1-poliger Schließer | ||
Anschluss Typ 6-polig | ||
Ausgangsschaltung MOSFET | ||
Gehäuseform DIP | ||
Serie ASSR-5211 | ||
Einschaltzeit max. 5ms | ||
Lastspannungsbereich -600→ +600V | ||
Abmessungen 9.9 x 6.6 x 3.68mm | ||
Höhe 3.7mm | ||
Kapazität 0.8pF | ||
Betriebstemperatur max. +85°C | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1 μA | ||
Länge 9.9mm | ||
Betriebstemperaturbereich -40 → +85°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Besondere Merkmale Hochgeschwindigkeits-Photovoltaikdiode-Array | ||
Tiefe 6.6mm | ||
Halbleiterrelais (Foto-MOSFET), Serie ASSR, Avago Technologies
Die Foto-MOSFET-Halbleiterrelais von Avago Technologie besteht aus einer Infrarot-Leuchtdiode (LED) und dem Detektor, der aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Diodenarray und Treiberschaltkreisen besteht, um zwei diskrete Hochspannungs-MOSFETS ein- und auszuschalten.
Optokoppler, Avago Technologies