- RS Best.-Nr.:
- 110-9137
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR75VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR75VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fuji Electric-IGBT-Module, 7er-Pack
V-Serie
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 385 W |
Gehäusegröße | M712 |
Konfiguration | Dreiphasenbrücke |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 24 |
Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
Abmessungen | 122 x 62 x 17mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 110-9137
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR75VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric