7MBR35VB-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 35 A, M712 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 168-4560
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR35VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 168-4560
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR35VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Fuji Electric-IGBT-Module, 7er-Pack
V-Serie
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 35 A |
| Kollektor-Emitter- | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 210 W |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke |
| Gehäusegröße | M712 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 24 |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
| Abmessungen | 122 x 62 x 17mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4560
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR35VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric