STMicroelectronics IGBT / 14 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 151-940
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB3NC120HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.10.355
Vorübergehend ausverkauft
- 975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.071 | CHF.10.36 |
| 50 - 95 | CHF.1.97 | CHF.9.86 |
| 100 - 495 | CHF.1.818 | CHF.9.11 |
| 500 + | CHF.1.677 | CHF.8.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-940
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB3NC120HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 14A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 15ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 14A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 15ns | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT von STMicroelectronics bietet einen ausgezeichneten Ausgleich zwischen niedrigen Leitungsverlusten und schneller Schaltleistung. Sie wurde in der Power MESH-Technologie in Kombination mit einer Hochspannungs-Ultraschnelldiode entwickelt.
Hohe Spannungsfähigkeit
Hohe Geschwindigkeit
Sehr weiche, ultraschnelle Erholungsdiode mit Anti-Paralleldiode
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 14 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 5 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- onsemi IGBT / 35 A, 1200 V 298 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 25 A, 450 V 150 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 30 A, 420 V 150 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 20 A, 600 V 65 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 10 A, 375 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 50 A, 650 V 167 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche