STMicroelectronics IGBT / 25 A 16V max. , 475 V 150 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 164-7013
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20N45LZAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 164-7013
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20N45LZAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 25 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 475 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 16V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.35mm | |
| Gate-Kapazität | 1011pF | |
| Nennleistung | 300mJ | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 25 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 475 V | ||
Gate-Source Spannung max. 16V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.35mm | ||
Gate-Kapazität 1011pF | ||
Nennleistung 300mJ | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diese anwendungsspezifische IGBT nutzt modernste PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb in der rauen KFZ-Zündanlagenumgebung optimiert wurde. Diese Geräte weisen eine sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe SCIS-Leistungsfähigkeit über einen großen Betriebstemperaturbereich auf. Außerdem bedeutet ein ESD-geschützter Logikebenen-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand, dass keine externe Schutzschaltung erforderlich ist.
SCIS-Leistung von 300 mJ bei TJ = 25 °CTeile sind zu 100 % SCIS-geprüftESD-Gate-Emitter-SchutzGate-Kollektor-HochspannungsbegrenzungLogikebenen-Gate-AnsteuerungSehr niedrige SättigungsspannungHohe ImpulsstrombelastbarkeitGate- und Gate-Emitter-Widerstand
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