Fairchild IGBT / 23 A ±10V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
864-8809
Herst. Teile-Nr.:
FGB3245G2_F085
Marke:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

23 A

Kollektor-Emitter-Spannung

450 V

Gate-Source Spannung max.

±10V

Verlustleistung max.

150 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

IGBT für Automobilzündung, Fairchild Semiconductor


Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.

Merkmale


• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen

RS-Produktcodes



864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK


864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2


807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK


864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK


864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220


864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2


864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK


807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK


864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2


864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220


807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220


862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Hinweis

Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.

Normen

AEC-Q101


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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