STMicroelectronics IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
215-030
Herst. Teile-Nr.:
GWA40MS120DF4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Verlustleistung max.

536 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Der IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt. Der Baustein gehört zu den IGBTs der MS-Serie, einer Weiterentwicklung der verlustarmen M-Serie, die dank ihrer hervorragenden Kurzschlussfähigkeit bei hohen Busspannungswerten speziell für Wechselrichtersysteme entwickelt wurde. Außerdem führen der leicht positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die sehr enge Parameterverteilung zu einem sichereren Parallelbetrieb.

Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelisierung

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