STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
215-009
Herst. Teile-Nr.:
STGWA50M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

119 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

576 W

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Der IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Außerdem führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sichereren Parallelbetrieb.

Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelisierung

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