STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 206-8630
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.4.211 | CHF.21.04 |
| 25 - 45 | CHF.4.095 | CHF.20.47 |
| 50 - 120 | CHF.3.99 | CHF.19.93 |
| 125 - 245 | CHF.3.885 | CHF.19.43 |
| 250 + | CHF.3.78 | CHF.18.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-8630
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 108 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 108 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 4 | ||
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Nur für weiche Kommutierung konzipiert
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
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