STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 168-7097
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40H65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.98.28
Auf Lager
- 480 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | CHF.3.276 | CHF.98.19 |
| 90 + | CHF.2.615 | CHF.78.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7097
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40H65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 283W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Serie | H | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 283W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Serie H | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 600 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 40 A, 600 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal