STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 261-5072
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA80H65DFBAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 261-5072
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA80H65DFBAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 535W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 15V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 21mm | |
| Serie | STGWA | |
| Höhe | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 535W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 15V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 21mm | ||
Serie STGWA | ||
Höhe 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stopp-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen IGBT-Serie HB, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus ist der leicht positive VCE(sat) Temperaturkoeffizienten und eine sehr enge Parameterverteilung führen zu einem sicheren Parallelbetrieb.
AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Die maximale Abzweigtemperatur TJ beträgt 175 °C.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Positiver Temperatur-VCE(sat)-Koeffizient
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A, 650 V 333 W, 3-Pin PG-TO-247
- STMicroelectronics IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 87 A, 650 V 441 W, 3-Pin To-247 LL Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Modul / 80 A, 650 V 274 W, 3-Pin PG-TO-247