STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 792-5802
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.5.166
Vorübergehend ausverkauft
- 600 Einheit(en) mit Versand ab 01. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.5.17 |
| 5 - 9 | CHF.4.90 |
| 10 - 24 | CHF.4.41 |
| 25 - 49 | CHF.3.98 |
| 50 + | CHF.3.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5802
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-4LD
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-3L
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Fairchild IGBT / 150 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 200 A ±20V max. , 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal