STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 261-5071
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA80H65DFBAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.4.925 | CHF.147.77 |
| 60 - 60 | CHF.4.799 | CHF.143.92 |
| 90 + | CHF.4.683 | CHF.140.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-5071
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA80H65DFBAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1,65 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 535 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1,65 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 535 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stopp-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen HB-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitung und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus ist der leicht positive VCE(sat) Temperaturkoeffizienten und eine sehr enge Parameterverteilung führen zu einem sicheren Parallelbetrieb.
AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Die maximale Abzweigtemperatur TJ beträgt 175 °C.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Positiver Temperatur-VCE(sat)-Koeffizient
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Die maximale Abzweigtemperatur TJ beträgt 175 °C.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Positiver Temperatur-VCE(sat)-Koeffizient
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
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