STMicroelectronics IGBT / 60 A, 650 V 108 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 206-6065
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.4.19 | CHF.125.69 |
| 60 - 120 | CHF.4.085 | CHF.122.41 |
| 150 - 270 | CHF.3.98 | CHF.119.26 |
| 300 + | CHF.3.875 | CHF.116.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-6065
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 108W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | STG | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 108W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie STG | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Nur für weiche Kommutierung konzipiert
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
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