STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 206-6065
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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CHF.125.70
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.4.19 | CHF.125.69 |
| 60 - 120 | CHF.4.085 | CHF.122.41 |
| 150 - 270 | CHF.3.98 | CHF.119.26 |
| 300 + | CHF.3.875 | CHF.116.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-6065
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 108 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 108 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 4 | ||
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Nur für weiche Kommutierung konzipiert
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
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