STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 215-008
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA50M65DF2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 215-008
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA50M65DF2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 119 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 576 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 119 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 576 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Außerdem führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sichereren Parallelbetrieb.
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelisierung
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelisierung
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