STMicroelectronics IGBT / 119 A Einfach, 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-008
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA50M65DF2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 119A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 576W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 20.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 119A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 576W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 20.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer erweiterten proprietären Trenngatter-Fieldtop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Sicherere Parallelführung
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