Infineon IGBT / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 110-7425
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW40N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*
CHF.10.424
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | CHF.2.606 | CHF.10.43 |
| 20 - 36 | CHF.2.343 | CHF.9.39 |
| 40 - 96 | CHF.2.192 | CHF.8.77 |
| 100 - 196 | CHF.2.04 | CHF.8.14 |
| 200 + | CHF.1.899 | CHF.7.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7425
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW40N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 74A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating | |
| Energie | 0.46mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 74A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating | ||
Energie 0.46mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 255 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage