Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 228-6510
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 228-6510
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±2 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Länge | 41.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101/100 | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±2 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Länge 41.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101/100 | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Der Infineon AIKW50N65RF5 ist ein hybrider Leistungs-diskret mit SiC-Stromversorgungstechnologie mit bester Kosteneffizienz und ist der wichtigste Aspekt für Hilfsanwendungen in Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen. Der Hybrid aus 650-V-Trenchstop 5 AUTO-IGBT mit schneller Schaltung und CoolSiC Schottky-Diode für eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnell schaltende Kfz-Anwendungen wie Onboard-Ladegerät, PFC, DC/DC und DC/AC.
Schneller Trenchstop 5-IGBT mit Schaltgeschwindigkeit
Erstklassige Effizienz in harten Schalt- und Resonanztopologien
QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
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