Teile-Nr.

Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6113
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65EL5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.846

Auf Lager

Zusätzlich 580 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.3.423	CHF.6.86
10 - 18	CHF.3.087	CHF.6.17
20 - 48	CHF.2.877	CHF.5.77
50 - 98	CHF.2.667	CHF.5.35
100 +	CHF.2.226	CHF.4.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 226-6113
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65EL5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	227 W
	Gehäusegröße	PG-TO247
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 227 W
	Gehäusegröße PG-TO247
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3

Datasheet - IKW30N65EL5XKSA1

Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.

QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

Verwandte Links