Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6112
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6112
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 85A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Länge | 41.9mm | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 85A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Länge 41.9mm | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.
QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
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