Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 650 V 176 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6637
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 1.919 | CHF 57.72 |
| 60 - 120 | CHF 1.828 | CHF 54.81 |
| 150 - 270 | CHF 1.747 | CHF 52.51 |
| 300 - 570 | CHF 1.677 | CHF 50.21 |
| 600 + | CHF 1.555 | CHF 46.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6637
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 176W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Länge | 42mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 176W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Länge 42mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der reversierende bipolare Transistor der Infineon Resonanzschalter-Serie mit isolierter Gate-Isolierung und monolithischer Gehäusediode.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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