Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 650 V 176 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6637
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.10 | CHF.63.06 |
| 60 - 120 | CHF.1.995 | CHF.59.91 |
| 150 - 270 | CHF.1.911 | CHF.57.39 |
| 300 - 570 | CHF.1.827 | CHF.54.87 |
| 600 + | CHF.1.701 | CHF.51.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6637
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 176 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 176 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der reversierende bipolare Transistor der Infineon Resonanzschalter-Serie mit isolierter Gate-Isolierung und monolithischer Gehäusediode.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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